Co-phàirtean dealanach IC Chips Cuairtean Amalaichte IC TPS74701QDRCRQ1 ceannach aon àite

An dàimh eadar wafers agus chips

Sealladh farsaing air wafers

Gus an dàimh eadar wafers agus chips a thuigsinn, tha na leanas na shealladh farsaing air na prìomh eileamaidean de eòlas wafer agus chip.

(i) Dè a th' ann an wafer

Is e wafers sileaconach a th’ ann an wafers a thathas a’ cleachdadh ann a bhith a’ dèanamh chuairtean amalaichte semiconductor silicon, ris an canar wafers air sgàth an cumadh cruinn;faodar an giullachd air wafers silicon gus grunn phàirtean cuairteachaidh a chruthachadh agus a bhith nan toraidhean cuairteachaidh aonaichte le gnìomhan dealain sònraichte.Is e silicon an stuth amh airson wafers, agus tha solar neo-sheasmhach de silicon dà-ogsaid air uachdar rùsg na talmhainn.Tha mèinn silicon dà-ogsaid air a ghrinneachadh ann an fùirneisean arc dealain, air a chlorinachadh le searbhag uisge-uisge agus air a tharraing gus polysilicon fìor-ghlan a thoirt gu buil le purrachd de 99.9999999999%.

(ii) Stuthan amh bunaiteach airson wafers

Tha silicon air a ghrinneachadh bho ghainmhich èiteag agus tha wafers air an glanadh (99.999%) bhon eileamaid silicon, a tha an uairsin air a dhèanamh ann an slatan silicon a thig gu bhith nan stuth airson semiconductors quartz airson cuairtean amalaichte.

(iii) Pròiseas saothrachaidh wafer

Is e wafers an stuth bunaiteach airson a bhith a’ dèanamh chips semiconductor.Is e silicon an stuth amh as cudromaiche airson cuairtean aonaichte semiconductor agus mar sin tha e a’ freagairt ri wafers silicon.

Tha silicon air a lorg gu farsaing ann an nàdar ann an cruth silicates no silicon dà-ogsaid ann an creagan agus greabhal.Faodar geàrr-chunntas a dhèanamh air saothrachadh wafers silicon ann an trì ceumannan bunaiteach: grinneachadh agus glanadh sileaconach, fàs silicon criostail singilte, agus cruthachadh wafer.

Is e a ’chiad fhear glanadh sileaconach, far a bheil an stuth amh de ghainmhich is greabhal air a chuir a-steach do fhùirneis arc dealain aig teòthachd timcheall air 2000 ° C agus an làthair stòr gualain.Aig teòthachd àrd, bidh an gualain agus an sileacon dà-ogsaid anns a 'ghainmhich agus greabhal a' dol tro ath-bhualadh ceimigeach (gualain a 'tighinn còmhla ri ocsaidean, a' fàgail silicon) gus silicon fìor-ghlan fhaighinn le purrachd timcheall air 98%, ris an canar cuideachd silicon ìre metallurgical, nach eil fìor-ghlan gu leòr airson innealan microelectronic oir tha feartan dealain stuthan semiconductor gu math mothachail air dùmhlachd neo-chunbhalachd.Mar sin tha silicon ìre metallurgical air a ghlanadh tuilleadh: tha an sileacon ìre metallurgical brùite fo ùmhlachd ath-bhualadh clorination le hydrogen cloride gaseous gus silane liùlach a thoirt gu buil, a tha an uairsin air a tharraing agus air a lughdachadh gu ceimigeach le pròiseas a bheir a-mach silicon polycrystalline àrd-ghlan le purrachd de 99.9999999999. %, a thig gu bhith na silicon ìre dealanach.

An uairsin thig fàs silicon monocrystalline, an dòigh as cumanta ris an canar tarraing dìreach (modh CZ).Mar a chithear anns an dealbh gu h-ìosal, tha polysilicon fìor-ghlan air a chuir ann an crucible quartz agus air a theasachadh gu leantainneach le teasadair grafait timcheall air an taobh a-muigh, a’ cumail an teòthachd timcheall air 1400 ° C.Mar as trice tha an gas anns an fhùirneis neo-sheasmhach, a 'leigeil leis a' polysilicon leaghadh gun a bhith a 'cruthachadh ath-bheachdan ceimigeach nach eileas ag iarraidh.Gus criostalan singilte a chruthachadh, thathas cuideachd a’ cumail smachd air stiùireadh nan criostalan: tha am breus air a thionndadh leis an leaghadh polysilicon, tha criostal sìl air a bhogadh ann, agus tha slat tarraing air a ghiùlan an taobh eile fhad ‘s a tha e gu slaodach agus gu dìreach ga tharraing suas bhon taobh eile. leaghadh sileaconach.Bidh am polysilicon leaghte a’ cumail ri bonn a’ chriostail sìl agus a’ fàs gu h-àrd a dh’ionnsaigh rèiteachadh leaghan criostal an t-sìl.