Dràibhear co-phàirtean dealanach BOM Quotation IC Chip IR2103STRPBF

Feartan toraidh

Sgrìobhainnean & Meadhanan

Seòrsachadh Àrainneachdail & Às-mhalairt

Driver Gates

Is e amplifier cumhachd a th’ ann an draibhear geata a ghabhas ri cuir a-steach cumhachd ìosal bho rianadair IC agus a bheir a-mach cuir a-steach dràibhidh àrd-làthaireach airson geata transistor àrd-chumhachd leithid IGBT no cumhachd MOSFET.Faodar draibhearan geata a thoirt seachad an dàrna cuid air-chip no mar mhodal air leth.Gu dearbh, tha draibhear geata air a dhèanamh suas de ghluasad ìre ann an co-bhonn ri amplifier.Tha draibhear geata IC a ’frithealadh mar eadar-aghaidh eadar comharran smachd (luchd-riaghlaidh didseatach no analog) agus suidsichean cumhachd (IGBTs, MOSFETs, SiC MOSFETs, agus GaN HEMTs).Bidh fuasgladh draibhear-geata amalaichte a’ lughdachadh iom-fhillteachd dealbhaidh, ùine leasachaidh, bile stuthan (BOM), agus àite bùird agus aig an aon àm a’ leasachadh earbsachd thairis air fuasglaidhean dràibhidh geata a tha air an cur an gnìomh gu sònraichte.

Eachdraidh

Ann an 1989, thug International Rectifier (IR) a-steach a ’chiad toradh draibhear geata HVIC monolithic, bidh an teicneòlas cuairteachaidh àrd-bholtaid (HVIC) a’ cleachdadh structaran monolithic peutant agus seilbh a ’fighe a-steach innealan bipolar, CMOS, agus DMOS taobhach le bholtaids brisidh os cionn 700 V agus 1400 V airson obrachadh bholtaids dheth 600 V agus 1200 V.[2]

A’ cleachdadh an teicneòlas comharra-measgaichte HVIC seo, faodar an dà chuid cuairtean gluasad ìre bholtachd àrd agus cuairtean analog agus didseatach bholtachd ìosal a chuir an gnìomh.Le comas cuairteachadh àrd-bholtachd a chuir (ann an ‘tobar’ air a chruthachadh le fàinneachan polysilicon), a dh’ fhaodas ‘seòladh’ 600 V no 1200 V, air an aon sileacon air falbh bhon chòrr den chuairt-lann bholtachd ìosal, taobh àrd Tha cumhachd MOSFETs no IGBTn ann am mòran topologies cuairteachaidh far-loidhne leithid boc, àrdachadh sioncronaich, leth-drochaid, làn-drochaid agus trì ìrean.Tha na draibhearan geata HVIC le suidsichean air bhog gu math freagarrach airson topologies a dh’ fheumas rèiteachadh taobh àrd, leth-drochaid agus trì ìrean.[3]

Adhbhar

An coimeas ritransistors bipolar, chan fheum MOSFETn cuir a-steach cumhachd seasmhach, fhad ‘s nach eil iad air an tionndadh air no dheth.Tha an dealan-geata iomallach den MOSFET a’ cruthachadh acapacitor(capacitor geata), a dh’ fheumar a ghearradh no a leigeil ma sgaoil gach uair a thèid am MOSFET a chuir air no dheth.Leis gu bheil feum aig transistor air bholtadh geata sònraichte gus tionndadh air, feumaidh capacitor a’ gheata a bhith air a ghearradh gu co-dhiù an bholtadh geata riatanach airson an transistor a chuir air.San aon dòigh, gus an transistor a chuir dheth, feumaidh an cosgais seo a bhith air a sgaoileadh, ie feumaidh an capacitor geata a bhith air a leigeil ma sgaoil.

Nuair a thèid transistor a chuir air no dheth, cha bhith e ag atharrachadh sa bhad bho neo-ghiùlan gu staid giùlain;agus faodaidh iad taic a thoirt do bholtadh àrd agus sruth àrd a ghiùlan.Mar thoradh air an sin, nuair a thèid sruth geata a chuir air transistor gus toirt air tionndadh, thèid beagan teas a chruthachadh a dh’ fhaodadh, ann an cuid de chùisean, a bhith gu leòr airson an transistor a sgrios.Mar sin, feumar an ùine tionndaidh a chumail cho goirid ‘s a ghabhas, gus a lughdachadhag atharrachadh call[de].Tha amannan tionndaidh àbhaisteach anns an raon de microseconds.Tha an ùine tionndaidh aig transistor ann an co-rèireach ris an ìre degnàthachair a chleachdadh gus an geata a luchdachadh.Mar sin, gu tric bidh feum air sruthan suidse anns an raon de cheudanmilliamperes, no eadhon anns an raon deamperes.Airson bholtaids geata àbhaisteach timcheall air 10-15V, grunnwattsdh’ fhaodadh gum bi feum air cumhachd gus an suidse a dhràibheadh.Nuair a thèid sruthan mòra a thionndadh aig triceadan àrda, me a-steachLuchd-tionndaidh DC-gu-DCno mòrmotaran dealain, bidh ioma transistors uaireannan air an toirt seachad ann an co-shìnte, gus sruthan suidse àrd gu leòr agus cumhachd suidse a thoirt seachad.

Mar as trice bidh an comharra suidse airson transistor air a chruthachadh le cuairt loidsig no ameanbh-smachdadair, a tha a’ toirt seachad comharra toraidh a tha mar as trice air a chuingealachadh ri beagan mhiliaimperes de shruth.Mar thoradh air an sin, ghluaiseadh transistor a tha air a stiùireadh gu dìreach le leithid de chomharradh gu math slaodach, le call cumhachd àrd co-ionann.Rè an tionndadh, faodaidh capacitor geata an transistor sruth a tharraing cho luath ‘s gu bheil e ag adhbhrachadh cus sruth anns a’ chuairt loidsig no microcontroller, ag adhbhrachadh cus teasachadh a dh ’adhbhraicheas milleadh maireannach no eadhon sgrios iomlan air a’ chip.Gus casg a chuir air seo, tha draibhear geata air a thoirt seachad eadar an comharra toraidh microcontroller agus an transistor cumhachd.

Pumpaichean luchdadh a-nuasgu tric air an cleachdadh ann anH-Drochaideanann an draibhearan taobh àrd airson geata a’ draibheadh ​​​​an taobh àrd n-sianalMOSFETs cumhachdagusIGBTan.Tha na h-innealan sin air an cleachdadh air sgàth an deagh choileanadh, ach tha feum aca air bholtadh dràibhidh geata beagan bholt os cionn an rèile cumhachd.Nuair a thèid meadhan na drochaid gu leth ìosal thèid an capacitor a ghearradh tro diode, agus thèid an cosgais seo a chleachdadh gus geata taobh àrd FET a dhràibheadh ​​​​nas fhaide air adhart beagan bholtan os cionn bholtadh prìne an stòr no an emitter gus a chuir air.Bidh an ro-innleachd seo ag obair gu math fhad ‘s a tha an drochaid air a tionndadh gu cunbhalach agus a’ seachnadh iom-fhillteachd a bhith a’ ruith solar cumhachd air leth agus a’ ceadachadh innealan n-seanail nas èifeachdaiche a chleachdadh airson suidsichean àrd is ìosal.